半導體等離子蝕刻機在真空環(huán)境下的原理優(yōu)勢:
       在光刻技術中，半導體表面會出現(xiàn)殘膠，這就需要一個好的方法進行處理，將殘膠清除的同時不會對產品造成損傷，等離子蝕刻機就是這樣的一個設備，通過等離子體進行處理，效果非常不錯。
等離子刻蝕機去膠原理，1種干式的去膠方式進行產品放入設備中，通過真空泵抽空氣體，使等離子刻蝕機保持真空狀態(tài)，這時候將工藝氣體放入設備中進行反應，產生活性等離子體，與表面的殘膠發(fā)生反應;光刻膠的基本成分是碳氫化合物，在反應中，這些化合物會消失，產生co、CO2、水等。這些成分會被真空泵抽走，表面清潔就完成了。

       半導體等離子蝕刻機去膠優(yōu)勢在過去，很多工廠都采用的濕式處理法，但是隨著技術不斷變革，產品不斷升級，處理要求也隨之升級干式法逐步取代了濕式處理。
       等離子干刻機的去膠只需氣體的參與，無需化學試劑的浸泡，無需烘干，整個處理環(huán)保干凈，清洗過程可控性非常強，而且不會對周圍環(huán)境以及人員造成不良的影響;這種工藝還能夠降低成本，提高產品的良品率以及生產效率，所以設備在半導體制程的各類方面都廣泛的得到了應用。
       殘膠去除在半導體制造過程中非常重要。清潔是否干凈徹底，表面有無破損等。都會影響后續(xù)的工藝，進而影響整體制造和性能，對良品率有重要影響。可見一個好的處理工藝，好的設備是可以影響產品的，半導體等離子蝕刻機是可以提高公司的利潤，降低成本的。